XP2322GN YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 833mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.21 грн |
| 10+ | 35.93 грн |
| 100+ | 24.99 грн |
| 500+ | 18.31 грн |
| 1000+ | 14.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP2322GN YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 833mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 20 V.
Інші пропозиції XP2322GN за ціною від 12.01 грн до 44.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP2322GN | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23S |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|