Продукція > TOREX > XP233N0501TR-G
XP233N0501TR-G

XP233N0501TR-G TOREX

3118347.pdf
Виробник: TOREX
Description: TOREX - XP233N0501TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+5.42 грн
1000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP233N0501TR-G TOREX

Description: TOREX - XP233N0501TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: TO-236, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP23, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції XP233N0501TR-G за ціною від 2.58 грн до 28.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
XP233N0501TR-G XP233N0501TR-G TOREX XP233N0501TR.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.5A; Idm: 1A; 0.4W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.29 грн
37+11.43 грн
45+9.38 грн
100+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP233N0501TR-G XP233N0501TR-G Torex Semiconductor Ltd XP233N0501TR.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.85 грн
28+11.20 грн
100+6.96 грн
500+4.80 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP233N0501TR-G XP233N0501TR-G TOREX 3118347.pdf Description: TOREX - XP233N0501TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.02 грн
65+12.63 грн
103+7.95 грн
500+5.42 грн
1000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP233N0501TR-G XP233N0501TR-G Torex Semiconductor XP233N0501TR.pdf MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 0.5A / SOT-23
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.76 грн
19+17.02 грн
100+9.36 грн
1000+5.03 грн
3000+3.56 грн
9000+2.72 грн
24000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP233N0501TR-G XP233N0501TR.pdf
XP233N0501TR-G
Виробник: TOREX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.5A; Idm: 1A; 0.4W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
28+16.29 грн
37+11.43 грн
45+9.38 грн
100+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP233N0501TR-G XP233N0501TR.pdf
XP233N0501TR-G
Виробник: Torex Semiconductor Ltd
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+18.85 грн
28+11.20 грн
100+6.96 грн
500+4.80 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP233N0501TR-G 3118347.pdf
XP233N0501TR-G
Виробник: TOREX
Description: TOREX - XP233N0501TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
39+21.02 грн
65+12.63 грн
103+7.95 грн
500+5.42 грн
1000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP233N0501TR-G XP233N0501TR.pdf
XP233N0501TR-G
Виробник: Torex Semiconductor
MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 0.5A / SOT-23
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+28.76 грн
19+17.02 грн
100+9.36 грн
1000+5.03 грн
3000+3.56 грн
9000+2.72 грн
24000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.