XP2344GN

XP2344GN YAGEO XSEMI


XP2344GN.pdf
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N + P CH 20V 6.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V
на замовлення 915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.49 грн
19+16.04 грн
100+10.08 грн
500+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP2344GN YAGEO XSEMI

Description: MOSFET N + P CH 20V 6.4A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V.

Інші пропозиції XP2344GN за ціною від 4.68 грн до 28.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP2344GN XP2344GN Виробник : YAGEO XSemi XP2344GN.pdf MOSFETs N-CH 20V 6.4A SOT-23
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.76 грн
19+17.35 грн
100+9.50 грн
500+7.05 грн
1000+6.49 грн
3000+5.31 грн
6000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.