XP234N0801TR-G

XP234N0801TR-G Torex Semiconductor


XP234N0801TR.pdf Виробник: Torex Semiconductor
MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 0.8A / SOT-23
на замовлення 7708 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+20.00 грн
20+18.40 грн
100+13.55 грн
500+9.19 грн
1000+7.27 грн
3000+4.21 грн
6000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP234N0801TR-G Torex Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 800MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 400mA, 10V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 10 V.

Інші пропозиції XP234N0801TR-G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP234N0801TR-G XP234N0801TR-G Виробник : Torex Semiconductor Ltd XP234N0801TR.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 800MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP234N0801TR-G XP234N0801TR-G Виробник : TOREX XP234N0801TR.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.8A; Idm: 1.6A; 0.4W; SOT23-3
Case: SOT23-3
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.