XP261N7002TR-G TOREX
Виробник: TOREXDescription: TOREX - XP261N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 5.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP261N7002TR-G TOREX
Description: TOREX - XP261N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.
Інші пропозиції XP261N7002TR-G за ціною від 2.06 грн до 22.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP261N7002TR-G | Виробник : Torex Semiconductor |
MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 0.15A / SOT-23 |
на замовлення 7501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
XP261N7002TR-G | Виробник : TOREX |
Description: TOREX - XP261N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
на замовлення 699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
XP261N7002TR-G | Виробник : Torex Semiconductor Ltd |
Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
XP261N7002TR-G | Виробник : Torex Semiconductor Ltd |
Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V |
товар відсутній |