XP263N1001TR-G Torex Semiconductor Ltd
Виробник: Torex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 60V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.6 грн |
| 6000+ | 6.21 грн |
| 9000+ | 5.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP263N1001TR-G Torex Semiconductor Ltd
Description: TOREX - XP263N1001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 0.18 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: TO-236, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP26, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції XP263N1001TR-G за ціною від 4.6 грн до 35.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP263N1001TR-G | Виробник : TOREX |
Description: TOREX - XP263N1001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 0.18 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP26 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 11815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
XP263N1001TR-G | Виробник : Torex Semiconductor Ltd |
Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V |
на замовлення 23754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
XP263N1001TR-G | Виробник : Torex Semiconductor |
MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 1A / SOT-23 |
на замовлення 5848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
XP263N1001TR-G | Виробник : TOREX |
Description: TOREX - XP263N1001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 0.18 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm |
на замовлення 9380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
XP263N1001TR-G | Виробник : TOREX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1A; Idm: 2A; 0.4W; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
XP263N1001TR-G | Виробник : TOREX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1A; Idm: 2A; 0.4W; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |