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Технічний опис XP2N1K2EN1 YAGEO XSemi
Description: YAGEO XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 150mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP2N1K2E Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.
Інші пропозиції XP2N1K2EN1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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XP2N1K2EN1 | YAGEO XSEMI |
 Description: YAGEO XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2N1K2E Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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XP2N1K2EN1 | YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2N1K2E Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 160 шт В кошику од. на суму грн. |
| XP2N1K2EN1 |
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Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N1K2E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
Description: YAGEO XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| XP2N1K2EN1 |
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Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
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Description: YAGEO XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
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на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)