XP2P052N

XP2P052N YAGEO XSEMI


XP2P052N.pdf Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2P052N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P052 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.27 грн
500+10.86 грн
1000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP2P052N YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP2P052N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP2P052 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції XP2P052N за ціною від 6.46 грн до 43.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP2P052N XP2P052N Виробник : YAGEO XSemi XP2P052N-3367804.pdf MOSFETs P-CH -20V -4A SOT-23S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.15 грн
13+26.33 грн
100+11.23 грн
1000+10.13 грн
3000+7.71 грн
9000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.