XP3700M YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 25.36 грн |
| 500+ | 20.00 грн |
| 1000+ | 17.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP3700M YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP3700 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції XP3700M за ціною від 17.91 грн до 96.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
XP3700M | YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3700 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
XP3700M | YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.8A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
XP3700M | XSemi |
MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30 |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
XP3700M | YAGEO XSemi |
MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30 |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| XP3700M |
![]() |
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 33.41 грн |
| 29+ | 28.29 грн |
| 100+ | 25.36 грн |
| 500+ | 20.00 грн |
| 1000+ | 17.91 грн |
| XP3700M |
![]() |
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 96.41 грн |
| 10+ | 58.27 грн |
| 100+ | 38.67 грн |
| 500+ | 28.38 грн |
| XP3700M |
![]() |
Виробник: XSemi
MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| XP3700M |
![]() |
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




