XP3700MT YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 47.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP3700MT YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PMPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP3700 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції XP3700MT за ціною від 23.93 грн до 108.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
XP3700MT | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3700 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
XP3700MT | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
XP3700MT | Виробник : XSemi |
MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
XP3700MT | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 11A PMPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.57W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
XP3700MT | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 11A PMPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.57W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 |
товару немає в наявності |