| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 40.56 грн |
| 13+ | 24.76 грн |
| 100+ | 13.73 грн |
| 500+ | 10.38 грн |
| 1000+ | 9.55 грн |
| 3000+ | 7.52 грн |
| 6000+ | 6.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP3700YT YAGEO XSemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3.
Інші пропозиції XP3700YT за ціною від 15.38 грн до 84.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
XP3700YT | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3 |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
XP3700YT | Виробник : XSemi |
MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
XP3700YT | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3 |
товару немає в наявності |

