Продукція > YAGEO XSEMI > XP3C023AMT
XP3C023AMT

XP3C023AMT YAGEO XSEMI

XP3C023AMT.pdf Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP3C023AMT YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PMPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP3C023A Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції XP3C023AMT за ціною від 18.39 грн до 151.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP3C023AMT XP3C023AMT Виробник : YAGEO XSemi XP3C023AMT-3367857.pdf MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.49 грн
10+49.75 грн
100+29.87 грн
500+23.76 грн
1000+21.78 грн
3000+19.13 грн
6000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMT XP3C023AMT Виробник : YAGEO XSEMI XP3C023AMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.42 грн
16+53.07 грн
100+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMT XP3C023AMT Виробник : XSemi XP3C023AMT-3132656.pdf MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.92 грн
10+134.52 грн
100+94.17 грн
500+77.25 грн
1000+64.30 грн
3000+59.88 грн
6000+57.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.