XP3N028EN YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 9.47 грн |
| 500+ | 8.72 грн |
| 1000+ | 7.97 грн |
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Технічний опис XP3N028EN YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP3N028E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції XP3N028EN за ціною від 11.43 грн до 33.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
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XP3N028EN | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP3N028E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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