XP3N9R5AH YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 9500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: To Be Advised
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 32.42 грн |
| 500+ | 27.16 грн |
| 1000+ | 22.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP3N9R5AH YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 9500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP3N9R5A Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції XP3N9R5AH за ціною від 22.34 грн до 124.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
XP3N9R5AH | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 9500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP3N9R5A Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
XP3N9R5AH | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFETs N-CH 30V 38.5 A TO-252 |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
XP3N9R5AH | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|