| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.15 грн |
| 15+ | 22.48 грн |
| 100+ | 12.78 грн |
| 500+ | 9.64 грн |
| 1000+ | 8.66 грн |
| 3000+ | 6.63 грн |
| 6000+ | 6.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP3P020M YAGEO XSemi
Description: MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції XP3P020M за ціною від 26.55 грн до 44.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP3P020M | Виробник : YAGEO XSEMI |
 Description: MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SORds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|