Продукція > YAGEO XSEMI > XP3P020M
XP3P020M

XP3P020M YAGEO XSEMI

XP3P020M.pdf Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P020M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.3 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.95 грн
500+16.09 грн
1000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP3P020M YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP3P020M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.3 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP3P020 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції XP3P020M за ціною від 8.77 грн до 57.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP3P020M XP3P020M Виробник : YAGEO XSEMI XP3P020M.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.87 грн
12+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020M XP3P020M Виробник : YAGEO XSemi XP3P020M.pdf MOSFETs P-CH -30V -9. 3A SO-8
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.71 грн
11+32.76 грн
100+19.25 грн
500+13.90 грн
1000+11.80 грн
3000+9.32 грн
6000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020M XP3P020M Виробник : YAGEO XSEMI XP3P020M.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P020M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.3 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+57.48 грн
25+35.53 грн
100+23.95 грн
500+16.09 грн
1000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020M Виробник : X-Semi (YAGEO) id-6537315-xp3p020m.pdf P-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020M XP3P020M Виробник : YAGEO XSEMI XP3P020M.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.