XP3P080N YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1296 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.99 грн |
| 16+ | 19.52 грн |
| 100+ | 12.38 грн |
| 500+ | 8.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP3P080N YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1296 pF @ 15 V.
Інші пропозиції XP3P080N за ціною від 5.80 грн до 34.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP3P080N | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFETs P-CH -30V -3. 2A SOT-23S |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|