XP3P7R0EM

XP3P7R0EM YAGEO XSemi


XP3P7R0EM.pdf
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -30V -15 .5A SO-8
на замовлення 2870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.80 грн
10+48.10 грн
100+27.44 грн
500+21.65 грн
1000+19.62 грн
3000+16.62 грн
6000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP3P7R0EM YAGEO XSemi

Description: MOSFET P-CH 30V 15.5A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції XP3P7R0EM за ціною від 32.38 грн до 81.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP3P7R0EM XP3P7R0EM Виробник : YAGEO XSEMI XP3P7R0EM-3367912.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 15.5A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.70 грн
10+49.17 грн
100+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.