Продукція > YAGEO XSEMI > XP4024EM
XP4024EM

XP4024EM YAGEO XSEMI

XP4024EM.pdf
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 15 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.78 грн
10+43.30 грн
100+28.77 грн
500+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP4024EM YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP4024E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції XP4024EM за ціною від 18.96 грн до 18.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XP4024EM XP4024EM YAGEO XSemi XP4024EM.pdf MOSFETs N-CH 30V 18.5 A SO-8
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EM XP4024EM YAGEO XSEMI XP4024EM.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EM XP4024EM YAGEO XSEMI XP4024EM.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EM X-Semi (YAGEO) id-10721548-xp4024em.pdf N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EM XP4024EM.pdf
XP4024EM
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 18.5 A SO-8
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EM XP4024EM.pdf
XP4024EM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EM XP4024EM.pdf
XP4024EM
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4024EM id-10721548-xp4024em.pdf
Виробник: X-Semi (YAGEO)
N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.