Продукція > YAGEO XSEMI > XP4459YT

XP4459YT YAGEO XSemi

Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -30V -12 .7A PMPAK-3x3

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис XP4459YT YAGEO XSemi

Description: YAGEO XSEMI - XP4459YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0135 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.13W, Bauform - Transistor: PMPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP4459 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції XP4459YT за ціною від 18.76 грн до 18.76 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

XP4459YT

YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP4459YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0135 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4459 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP4459YT

YAGEO XSEMI

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

XP4459YT

X-Semi (YAGEO)

P-channel MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

XP4459YT

Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4459YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0135 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4459 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP4459YT

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

XP4459YT

Виробник: X-Semi (YAGEO)
P-channel MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	18.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.