| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 75.59 грн |
| 10+ | 34.31 грн |
| 100+ | 26.33 грн |
| 500+ | 20.92 грн |
| 1000+ | 20.70 грн |
| 3000+ | 15.21 грн |
| 6000+ | 14.70 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP4N4R2H YAGEO XSemi
Description: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 2W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP4N4R2 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm.
Інші пропозиції XP4N4R2H за ціною від 38.08 грн до 38.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP4N4R2H | YAGEO XSEMI |
 Description: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 4200 µohm, TO-252, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP4N4R2 Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
XP4N4R2H | YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP4N4R2 Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| XP4N4R2H | X-Semi (YAGEO) |
N-channel MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| XP4N4R2H |
|
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
Description: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| XP4N4R2H |
|
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
Description: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| XP4N4R2H |
|
Виробник: X-Semi (YAGEO)
N-channel MOSFET
N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 38.08 грн |