Продукція > YAGEO XSEMI > XP4N4R2H
XP4N4R2H

XP4N4R2H YAGEO XSEMI

Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP4N4R2H YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP4N4R2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції XP4N4R2H за ціною від 31.52 грн до 138.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP4N4R2H XP4N4R2H Виробник : YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 40V 75A TO-252
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.81 грн
10+86.37 грн
100+50.53 грн
500+40.56 грн
1000+38.25 грн
3000+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N4R2H XP4N4R2H Виробник : YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+138.68 грн
10+92.74 грн
100+62.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N4R2H Виробник : X-Semi (YAGEO) id-8511713-xp4n4r2h.pdf N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.