XP4NA1R4CMT-A

XP4NA1R4CMT-A YAGEO XSemi


XP4NA1R4CMT_A.pdf
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 45V 49A PMPAK-5x6
на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.37 грн
10+78.52 грн
100+45.57 грн
500+35.95 грн
1000+33.72 грн
3000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP4NA1R4CMT-A YAGEO XSemi

Description: MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V.

Інші пропозиції XP4NA1R4CMT-A за ціною від 52.29 грн до 154.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP4NA1R4CMT-A XP4NA1R4CMT-A Виробник : YAGEO XSEMI XP4NA1R4CMT-A.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.41 грн
10+104.61 грн
100+72.74 грн
500+56.85 грн
1000+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-A XP4NA1R4CMT-A Виробник : YAGEO XSEMI XP4NA1R4CMT-A.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.