Продукція > YAGEO XSEMI > XP4NAR95CMT-A

XP4NAR95CMT-A YAGEO XSEMI

Name: XP4NAR95CMT-A
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 49460502-3
Price: 462.20 UAH
Availability: InStock

Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 45V 58A 100A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8880 pF @ 30 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	462.20 грн
10+	298.98 грн
100+	216.04 грн
500+	169.47 грн
1000+	164.40 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис XP4NAR95CMT-A YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 264A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 5W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: PMPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP4NAR95 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm.

Інші пропозиції XP4NAR95CMT-A за ціною від 59.55 грн до 59.55 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

XP4NAR95CMT-A

YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP4NAR95CMT-A

YAGEO XSemi

MOSFETs N-CH 45V 58A PMPAK-5x6

на замовлення 2989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP4NAR95CMT-A

YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

XP4NAR95CMT-A

X-Semi (YAGEO)

N-channel MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	59.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

XP4NAR95CMT-A

Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP4NAR95CMT-A

Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 45V 58A PMPAK-5x6

на замовлення 2989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP4NAR95CMT-A

Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

XP4NAR95CMT-A

Виробник: X-Semi (YAGEO)
N-channel MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	59.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.