XP4P090N YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4P090N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4P090 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.32 грн |
| 500+ | 7.47 грн |
| 1000+ | 6.67 грн |
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Технічний опис XP4P090N YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4P090N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP4P090 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції XP4P090N за ціною від 6.67 грн до 46.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
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Ціна | ||||||||||||||||
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XP4P090N | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP4P090N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP4P090 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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XP4P090N | Виробник : YAGEO XSemi | MOSFET P-CH -40V -3A SOT-23S |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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