| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 118.94 грн |
| 10+ | 96.36 грн |
| 100+ | 64.94 грн |
| 500+ | 55.51 грн |
| 1000+ | 45.18 грн |
| 3000+ | 42.59 грн |
| 6000+ | 40.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP50AN1K5H YAGEO XSemi
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V.
Інші пропозиції XP50AN1K5H за ціною від 98.57 грн до 154.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP50AN1K5H | Виробник : YAGEO XSEMI |
 Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|