| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.82 грн |
| 10+ | 73.24 грн |
| 100+ | 57.12 грн |
| 500+ | 47.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP50AN1K5I YAGEO XSemi
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220CFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 31.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220CFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V.
Інші пропозиції XP50AN1K5I за ціною від 65.19 грн до 152.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP50AN1K5I | Виробник : YAGEO XSEMI |
 Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220CFMPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 31.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220CFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|