XP60AN750IN

XP60AN750IN YAGEO XSEMI


XP60AN750IN.pdf Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60AN750IN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60AN750 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+154.33 грн
10+90.78 грн
100+81.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP60AN750IN YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP60AN750IN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.92W, Bauform - Transistor: TO-220CFM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP60AN750 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції XP60AN750IN за ціною від 36.91 грн до 210.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XP60AN750IN XP60AN750IN Виробник : YAGEO XSemi XP60AN750IN-3367849.pdf MOSFETs N-CH 600V 10A TO-220CFM-NL
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.28 грн
25+121.83 грн
100+105.20 грн
500+103.73 грн
1000+58.93 грн
2000+54.66 грн
5000+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP60AN750IN Виробник : X-Semi (YAGEO) id-2263752-xp60an750in.pdf N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+46.75 грн
250+43.01 грн
500+40.54 грн
1000+36.91 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
XP60AN750IN Виробник : YAGEO XSEMI XP60AN750IN.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2688 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.81 грн
50+89.08 грн
100+80.12 грн
500+60.43 грн
1000+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.