на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 329.05 грн |
| 10+ | 176.52 грн |
| 100+ | 146.69 грн |
| 500+ | 127.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP60SL115DR YAGEO XSemi
Description: YAGEO XSEMI - XP60SL115DR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.115 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP60SL115D Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції XP60SL115DR за ціною від 128.33 грн до 363.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP60SL115DR | Виробник : YAGEO XSEMI |
 Description: YAGEO XSEMI - XP60SL115DR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.115 ohm, TO-262, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP60SL115D Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
XP60SL115DR | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 178W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 100 V |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| XP60SL115DR | Виробник : X-Semi (YAGEO) |
N-channel MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|