Продукція > YAGEO XSEMI > XP65AN1K2IT
XP65AN1K2IT

XP65AN1K2IT YAGEO XSEMI

XP65AN1K2IT.pdf
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220CFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.87 грн
50+61.15 грн
100+55.56 грн
500+47.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP65AN1K2IT YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP65AN1K2IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.92W, Bauform - Transistor: TO-220CFM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP65AN1K2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції XP65AN1K2IT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT YAGEO XSemi XP65AN1K2IT-3367904.pdf MOSFETs N-CH 650V 7A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT YAGEO XSEMI XP65AN1K2IT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP65AN1K2IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65AN1K2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT-3367904.pdf
XP65AN1K2IT
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 650V 7A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT.pdf
XP65AN1K2IT
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP65AN1K2IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65AN1K2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.