XP65AN1K2IT YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220CFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.41 грн |
| 50+ | 61.42 грн |
| 100+ | 55.80 грн |
| 500+ | 47.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP65AN1K2IT YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220CFM, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції XP65AN1K2IT за ціною від 48.60 грн до 141.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP65AN1K2IT | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFETs N-CH 650V 7A TO-220CFM-T |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|