| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.25 грн |
| 10+ | 117.24 грн |
| 100+ | 88.68 грн |
| 500+ | 74.72 грн |
| 1000+ | 74.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP65SL190DI YAGEO XSemi
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFM, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3312 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220CFM, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc).
Інші пропозиції XP65SL190DI за ціною від 96.40 грн до 282.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP65SL190DI | Виробник : YAGEO XSEMI |
 Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFMFET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3312 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220CFM Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) |
на замовлення 983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|