XP65SL190DI YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP65SL190DI - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL190D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 226.95 грн |
| 10+ | 198.89 грн |
| 100+ | 153.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP65SL190DI YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP65SL190DI - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.92W, Bauform - Transistor: TO-220CFM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP65SL190D Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції XP65SL190DI за ціною від 97.66 грн до 285.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP65SL190DI | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFETs N-CH 650V 20A TO-220CFM |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
XP65SL190DI | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220CFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3312 pF @ 100 V |
на замовлення 983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|