Продукція > YAGEO XSEMI > XP65SL190DI
XP65SL190DI

XP65SL190DI YAGEO XSEMI

XP65SL190DI.pdf
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFM
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3312 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220CFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+280.76 грн
50+137.76 грн
100+124.89 грн
500+95.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP65SL190DI YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP65SL190DI - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.92W, Bauform - Transistor: TO-220CFM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP65SL190D Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції XP65SL190DI

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XP65SL190DI XP65SL190DI YAGEO XSemi XP65SL190DI.pdf MOSFETs N-CH 650V 20A TO-220CFM
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL190DI XP65SL190DI YAGEO XSEMI XP65SL190DI.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP65SL190DI - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL190D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL190DI XP65SL190DI.pdf
XP65SL190DI
Виробник: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 650V 20A TO-220CFM
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL190DI XP65SL190DI.pdf
XP65SL190DI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP65SL190DI - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL190D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.