XP6677GH YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 195.60 грн |
| 10+ | 156.36 грн |
| 100+ | 124.48 грн |
| 500+ | 98.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP6677GH YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V.
Інші пропозиції XP6677GH за ціною від 78.91 грн до 203.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP6677GH | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFET P-CH -40V -60 A TO-252 |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|