XP6NA1R7CMT YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.40 грн |
| 10+ | 100.08 грн |
| 100+ | 71.29 грн |
| 500+ | 54.92 грн |
| 1000+ | 51.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP6NA1R7CMT YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V.
Інші пропозиції XP6NA1R7CMT за ціною від 47.55 грн до 171.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP6NA1R7CMT | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFETs N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6 |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|