XP6NA2R4IT YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 60V 93A TO220CFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220CFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 619.81 грн |
| 50+ | 476.92 грн |
| 100+ | 426.72 грн |
| 500+ | 353.35 грн |
| 1000+ | 318.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP6NA2R4IT YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 60V 93A TO220CFM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220CFM, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 40A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції XP6NA2R4IT за ціною від 310.73 грн до 638.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP6NA2R4IT | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFET N-CH 60V 93A TO-220CFM-T |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|