на замовлення 7972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.96 грн |
| 10+ | 38.16 грн |
| 80+ | 29.97 грн |
| 560+ | 25.33 грн |
| 2560+ | 23.08 грн |
| 5040+ | 21.44 грн |
| 10000+ | 20.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP83T03GJB YAGEO XSemi
Description: YAGEO XSEMI - XP83T03GJB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-251, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP83T03 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції XP83T03GJB за ціною від 27.12 грн до 93.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP83T03GJB | Виробник : YAGEO XSEMI |
 Description: YAGEO XSEMI - XP83T03GJB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-251, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP83T03 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| XP83T03GJB | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO251S Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|