| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.66 грн |
| 10+ | 39.03 грн |
| 80+ | 30.65 грн |
| 560+ | 25.91 грн |
| 2560+ | 23.60 грн |
| 5040+ | 21.93 грн |
| 10000+ | 21.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP83T03GJB YAGEO XSemi
Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO251S, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-251S, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції XP83T03GJB за ціною від 27.74 грн до 95.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| XP83T03GJB | Виробник : YAGEO XSEMI |
 Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO251SInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-251S Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|