| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 350.30 грн |
| 10+ | 229.66 грн |
| 100+ | 142.45 грн |
| 500+ | 135.47 грн |
| 1000+ | 126.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP8NA1R2TL YAGEO XSemi
Description: MOSFET N-CH 80V 300A TOLL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TOLL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V.
Інші пропозиції XP8NA1R2TL за ціною від 170.96 грн до 381.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP8NA1R2TL | Виробник : YAGEO XSEMI |
 Description: MOSFET N-CH 80V 300A TOLLPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V |
на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|