на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.81 грн |
| 10+ | 51.90 грн |
| 100+ | 40.76 грн |
| 500+ | 32.84 грн |
| 1000+ | 28.06 грн |
| 2500+ | 27.86 грн |
| 5000+ | 27.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP9561GI YAGEO XSemi
Description: YAGEO XSEMI - XP9561GI - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 36 A, 0.016 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33.7W, Bauform - Transistor: TO-220CFM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP9561 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції XP9561GI за ціною від 27.51 грн до 108.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP9561GI | Виробник : YAGEO XSEMI |
 Description: YAGEO XSEMI - XP9561GI - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 36 A, 0.016 ohm, TO-220CFM, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 33.7W Bauform - Transistor: TO-220CFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP9561 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
XP9561GI | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO220CFM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 33.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220CFM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|