Продукція > YAGEO XSEMI > XP9575GH

XP9575GH YAGEO XSemi

Виробник: YAGEO XSemi
MOSFET P-CH -60V -15 A TO-252

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис XP9575GH YAGEO XSemi

Description: YAGEO XSEMI - XP9575GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.09 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31.3W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP9575 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції XP9575GH

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	XP9575GH	YAGEO XSEMI	Description: YAGEO XSEMI - XP9575GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.09 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31.3W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP9575 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: To Be Advised	на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	XP9575GH	YAGEO XSEMI	Description: YAGEO XSEMI - XP9575GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.09 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31.3W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP9575 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: To Be Advised	на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

XP9575GH

Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9575GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.09 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9575 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

XP9575GH

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.