XPH3R908QB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage


XPH3R908QB_datasheet_en_20251107.pdf?did=166307&prodName=XPH3R908QB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V 3.9MOHM N-CH MOSFET SOP ADVA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XPH3R908QB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: 80V 3.9MOHM N-CH MOSFET SOP ADVA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції XPH3R908QB,L1XHQ за ціною від 58.85 грн до 184.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XPH3R908QB,L1XHQ XPH3R908QB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH3R908QB_datasheet_en_20251107.pdf?did=166307&prodName=XPH3R908QB Description: 80V 3.9MOHM N-CH MOSFET SOP ADVA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.98 грн
10+114.65 грн
50+87.15 грн
100+73.45 грн
500+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R908QB,L1XHQ XPH3R908QB_datasheet_en_20251107.pdf?did=166307&prodName=XPH3R908QB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V 3.9MOHM N-CH MOSFET SOP ADVA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.98 грн
10+114.65 грн
50+87.15 грн
100+73.45 грн
500+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.