Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > XPH3R908QB,L1XHQ
XPH3R908QB,L1XHQ

XPH3R908QB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

XPH3R908QB_datasheet_en_20251107.pdf?did=166307&prodName=XPH3R908QB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V 3.9MOHM N-CH MOSFET SOP ADVA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XPH3R908QB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: 80V 3.9MOHM N-CH MOSFET SOP ADVA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції XPH3R908QB,L1XHQ за ціною від 44.98 грн до 191.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XPH3R908QB,L1XHQ XPH3R908QB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH3R908QB_datasheet_en_20251107.pdf?did=166307&prodName=XPH3R908QB Description: 80V 3.9MOHM N-CH MOSFET SOP ADVA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.03 грн
10+112.82 грн
50+85.76 грн
100+72.28 грн
500+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R908QB,L1XHQ XPH3R908QB,L1XHQ Toshiba XPH3R908QB_datasheet_en_20251107.pdf?did=166307&prodName=XPH3R908QB MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR SOP Advance(WF) PD=132W F=1MHZ
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+191.12 грн
10+92.51 грн
100+72.33 грн
500+57.63 грн
1000+56.24 грн
2500+54.56 грн
5000+44.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R908QB,L1XHQ XPH3R908QB_datasheet_en_20251107.pdf?did=166307&prodName=XPH3R908QB
XPH3R908QB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V 3.9MOHM N-CH MOSFET SOP ADVA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.03 грн
10+112.82 грн
50+85.76 грн
100+72.28 грн
500+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R908QB,L1XHQ XPH3R908QB_datasheet_en_20251107.pdf?did=166307&prodName=XPH3R908QB
XPH3R908QB,L1XHQ
Виробник: Toshiba
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR SOP Advance(WF) PD=132W F=1MHZ
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+191.12 грн
10+92.51 грн
100+72.33 грн
500+57.63 грн
1000+56.24 грн
2500+54.56 грн
5000+44.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.