YJ2N60CP Yangzhou Yangjie Electronic
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJ2N60CP Yangzhou Yangjie Electronic
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 2A, Pulsed drain current: 8A, Power dissipation: 44W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.5Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 14nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції YJ2N60CP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
YJ2N60CP | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 44W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |