Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > YJD20N06A
YJD20N06A

YJD20N06A Yangjie Technology

YJD20N06A.pdf Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.88 грн
12500+13.56 грн
25000+12.72 грн
50000+11.22 грн
100000+10.07 грн
250000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис YJD20N06A Yangjie Technology

Description: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V.

Інші пропозиції YJD20N06A за ціною від 8.66 грн до 15.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
YJD20N06A YJD20N06A Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY YJD20N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.52 грн
35+12.03 грн
95+9.50 грн
260+8.97 грн
2500+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
YJD20N06A Виробник : Yangjie Electronic Technology YJD20N06A.pdf N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
YJD20N06A YJD20N06A Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJD20N06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJD20N06A YJD20N06A Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJD20N06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.