Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > YJD20N06A
YJD20N06A

YJD20N06A Yangjie Technology

YJD20N06A.pdf
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.66 грн
12500+13.36 грн
25000+12.53 грн
50000+11.05 грн
100000+9.92 грн
250000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис YJD20N06A Yangjie Technology

Description: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252, Supplier Device Package: TO-252, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active.

Інші пропозиції YJD20N06A за ціною від 11.66 грн до 20.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
YJD20N06A YJD20N06A Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY YJD20N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+20.86 грн
30+16.27 грн
100+14.68 грн
500+12.92 грн
2500+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
YJD20N06A YJD20N06A Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJD20N06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJD20N06A YJD20N06A Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJD20N06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.