YJD60N04A Yangjie Technology
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.62 грн |
| 12500+ | 13.32 грн |
| 25000+ | 12.57 грн |
| 50000+ | 11.01 грн |
| 100000+ | 9.95 грн |
| 250000+ | 9.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJD60N04A Yangjie Technology
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TRENCH POWER LV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 42A, Pulsed drain current: 200A, Power dissipation: 35W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 9.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 29nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції YJD60N04A за ціною від 11.86 грн до 16.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
YJD60N04A | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 42A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 35W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2395 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|