Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > YJG80G06A
YJG80G06A

YJG80G06A YANGJIE TECHNOLOGY

YJG80G06A.pdf
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 38W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+85.05 грн
11+39.19 грн
25+35.21 грн
100+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис YJG80G06A YANGJIE TECHNOLOGY

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SPLIT GATE TRENCH, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 50A, Pulsed drain current: 320A, Power dissipation: 38W, Case: DFN5060-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 67nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції YJG80G06A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
YJG80G06A Yangzhou Yangjie Electronic N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 50А; 38Вт Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG80G06A
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic
N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 50А; 38Вт Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.