YJH03N10A Yangjie Technology
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 7.08 грн |
| 5000+ | 6.44 грн |
| 10000+ | 6.05 грн |
| 20000+ | 5.32 грн |
| 40000+ | 4.82 грн |
| 100000+ | 4.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJH03N10A Yangjie Technology
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Case: SOT89, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 2.4A, On-state resistance: 0.12Ω, Power dissipation: 4W, Gate charge: 16nC, Technology: TRENCH POWER MV, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 12A.
Інші пропозиції YJH03N10A за ціною від 4.42 грн до 10.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
YJH03N10A | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.4A On-state resistance: 0.12Ω Power dissipation: 4W Gate charge: 16nC Technology: TRENCH POWER MV Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 12A |
на замовлення 9185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|