YJH03N10A Yangjie Technology
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 6.98 грн |
| 5000+ | 6.34 грн |
| 10000+ | 5.96 грн |
| 20000+ | 5.24 грн |
| 40000+ | 4.75 грн |
| 100000+ | 4.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJH03N10A Yangjie Technology
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TRENCH POWER MV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 2.4A, Pulsed drain current: 12A, Power dissipation: 4W, Case: SOT89, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.12Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 16nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції YJH03N10A за ціною від 5.79 грн до 11.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
YJH03N10A | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 4W Case: SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 6880 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|