YJL02N10A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJL02N10A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TRENCH POWER MV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 1.6A, Pulsed drain current: 8A, Power dissipation: 1.2W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.31Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 5.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції YJL02N10A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
YJL02N10A | Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
 Description: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L |
товару немає в наявності |
|
 |
YJL02N10A | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |