YJL02N10A YANGJIE TECHNOLOGY
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Gate charge: 5.3nC
Pulsed drain current: 8A
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 90+ | 5.42 грн |
| 150+ | 2.84 грн |
| 500+ | 2.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJL02N10A YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 1.6A, Power dissipation: 1.2W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.31Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Technology: TRENCH POWER MV, Gate charge: 5.3nC, Pulsed drain current: 8A.
Інші пропозиції YJL02N10A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
YJL02N10A | Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L |
товару немає в наявності |
|
|
|
YJL02N10A | Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L |
товару немає в наявності |