
YJL02N10A YANGJIE TECHNOLOGY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
80+ | 5.45 грн |
140+ | 2.91 грн |
370+ | 2.42 грн |
1020+ | 2.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJL02N10A YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TRENCH POWER MV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 1.6A, Pulsed drain current: 8A, Power dissipation: 1.2W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.31Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 5.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції YJL02N10A
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
YJL02N10A | Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
YJL02N10A | Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
![]() |
товару немає в наявності |