Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > YJL03N06A
YJL03N06A

YJL03N06A YANGJIE TECHNOLOGY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1772A8AEA78BF&compId=YJL03N06A.pdf?ci_sign=db9173cc23148a69957962f558eb05b87c0e5314 Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
65+6.66 грн
145+2.74 грн
410+2.23 грн
1125+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис YJL03N06A YANGJIE TECHNOLOGY

Description: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 30 V.

Інші пропозиції YJL03N06A за ціною від 2.27 грн до 22.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
YJL03N06A YJL03N06A Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL03N06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 30 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.48 грн
18+17.48 грн
100+9.26 грн
500+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A Виробник : Yangjie Electronic Technology YJL03N06A.pdf YJL03N06A
на замовлення 999000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5358+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 5358
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A YJL03N06A Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL03N06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.