Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > YJL2301C
YJL2301C

YJL2301C YANGJIE TECHNOLOGY

YJL2301C.pdf Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2.7A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
110+3.96 грн
170+2.34 грн
440+2.12 грн
500+2.08 грн
1190+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис YJL2301C YANGJIE TECHNOLOGY

Description: P-CH MOSFET 20V 3.4A SOT-23-3L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V.

Інші пропозиції YJL2301C за ціною від 1.94 грн до 22.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
YJL2301C YJL2301C Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL2301C%20Rev%203.0.pdf Description: P-CH MOSFET 20V 3.4A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.28 грн
18+17.32 грн
100+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301C Виробник : Yangjie Electronic Technology YJL2301C%20Rev%203.0.pdf P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 999000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6303+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 6303
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301C Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. YJL2301C%20Rev%203.0.pdf MOSFET SOT-23 P Channel 20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301C YJL2301C Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL2301C%20Rev%203.0.pdf Description: P-CH MOSFET 20V 3.4A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.