YJL2301D Yangjie Technology
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.56 грн |
| 15000+ | 2.39 грн |
| 30000+ | 2.24 грн |
| 60000+ | 1.96 грн |
| 120000+ | 1.75 грн |
| 300000+ | 1.61 грн |
| 600000+ | 1.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJL2301D Yangjie Technology
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TRENCH POWER LV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -15V, Drain current: -3A, Pulsed drain current: -15A, Power dissipation: 1W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 87mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 4.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції YJL2301D за ціною від 2.42 грн до 3.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
YJL2301D | YANGJIE TECHNOLOGY |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -15V Drain current: -3A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 87mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 740 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| YJL2301D |
|
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 140+ | 3.27 грн |
| 160+ | 2.74 грн |
| 500+ | 2.42 грн |