Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > YJL2301G
YJL2301G

YJL2301G Yangjie Technology

Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.95 грн
15000+1.80 грн
30000+1.65 грн
60000+1.47 грн
120000+1.32 грн
300000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис YJL2301G Yangjie Technology

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -1.6A; 0.7W, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TRENCH POWER LV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -15V, Drain current: -1.6A, Pulsed drain current: -8A, Power dissipation: 0.7W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 0.18Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 3.9nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції YJL2301G за ціною від 1.48 грн до 1.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
YJL2301G Виробник : Yangjie Electronic Technology P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8242+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 8242
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301G YJL2301G Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1A270200F98BF&compId=YJL2301G.pdf?ci_sign=bff8ceb3bbf03d473eaa83adf73a3721d2838f8d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.