YJS03N10A Yangjie Technology
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 100V 3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23-6L N 100V 3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.32 грн |
| 15000+ | 6.67 грн |
| 30000+ | 6.28 грн |
| 60000+ | 5.54 грн |
| 120000+ | 4.96 грн |
| 300000+ | 4.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJS03N10A Yangjie Technology
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TRENCH POWER HV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 2.4A, Pulsed drain current: 15A, Power dissipation: 1.5W, Case: SOT23-6, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.14Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 19.2nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції YJS03N10A за ціною від 4.28 грн до 9.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
YJS03N10A | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER HV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 6780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|