YJS4606A Yangjie Technology
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N/P 30 -30V 6.0 -5.0A Tra
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 7.59 грн |
| 20000+ | 6.87 грн |
| 40000+ | 6.49 грн |
| 80000+ | 5.67 грн |
| 160000+ | 5.11 грн |
| 400000+ | 4.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJS4606A Yangjie Technology
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W, Type of transistor: N/P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30/-30V, Drain current: 6/-5A, Pulsed drain current: 24...-20A, Power dissipation: 2W, Case: SOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 29mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 5.2nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції YJS4606A за ціною від 5.21 грн до 9.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
YJS4606A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6/-5A Pulsed drain current: 24...-20A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1757 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| YJS4606A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-5A
Pulsed drain current: 24...-20A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-5A
Pulsed drain current: 24...-20A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 9.05 грн |
| 64+ | 6.55 грн |
| 250+ | 5.90 грн |
| 1000+ | 5.21 грн |