YJS4606A Yangjie Technology
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N/P 30 -30V 6.0 -5.0A Tra
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 7.59 грн |
| 20000+ | 6.87 грн |
| 40000+ | 6.49 грн |
| 80000+ | 5.67 грн |
| 160000+ | 5.11 грн |
| 400000+ | 4.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJS4606A Yangjie Technology
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W, Type of transistor: N/P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 2W, Case: SOP8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain current: 6/-5A, Pulsed drain current: 24...-20A, On-state resistance: 29mΩ, Gate charge: 5.2nC, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 30/-30V, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції YJS4606A за ціною від 5.25 грн до 9.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
YJS4606A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Case: SOP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 6/-5A Pulsed drain current: 24...-20A On-state resistance: 29mΩ Gate charge: 5.2nC Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30/-30V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1777 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| YJS4606A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 6/-5A
Pulsed drain current: 24...-20A
On-state resistance: 29mΩ
Gate charge: 5.2nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 6/-5A
Pulsed drain current: 24...-20A
On-state resistance: 29mΩ
Gate charge: 5.2nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 49+ | 9.13 грн |
| 63+ | 6.60 грн |
| 250+ | 5.94 грн |
| 1000+ | 5.25 грн |