Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > YJS9435A
YJS9435A

YJS9435A Yangjie Technology

Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.27 грн
20000+5.73 грн
40000+5.43 грн
80000+4.74 грн
160000+4.30 грн
400000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис YJS9435A Yangjie Technology

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TRENCH POWER LV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -4.1A, Pulsed drain current: -20A, Power dissipation: 2.5W, Case: SOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 75mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 6.8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції YJS9435A за ціною від 4.00 грн до 11.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
YJS9435A YJS9435A Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC0FB25B1DB38BF&compId=YJS9435A.pdf?ci_sign=dbf1ee373b647e62cb2971b942cebbbae51b6f7e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+11.20 грн
60+6.57 грн
100+4.92 грн
215+4.23 грн
585+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.