
YJS9435A Yangjie Technology
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 6.29 грн |
20000+ | 5.75 грн |
40000+ | 5.44 грн |
80000+ | 4.75 грн |
160000+ | 4.32 грн |
400000+ | 3.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJS9435A Yangjie Technology
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TRENCH POWER LV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -4.1A, Pulsed drain current: -20A, Power dissipation: 2.5W, Case: SOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 75mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 6.8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції YJS9435A за ціною від 4.05 грн до 11.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
YJS9435A | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.1A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|